Los Laboratorios Nacionales de Investigación Aplicada de Taiwán anunciaron el desarrollo de la memoria electrónica más pequeña del mundo, que se comercializará en cinco o diez años.
La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles.
La tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.
“Y en el centímetro cuadrado se puede llegar a meter hasta 1.5 terabytes, con lo que se podrán almacenar 200 horas de vídeo, 100 mil canciones y millones de fotos y documentos”, señaló Ho.
Taiwán, que en la actualidad controla menos del uno por ciento del mercado mundial de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM, por sus siglas en inglés), espera llegar al 10 por ciento del total de la memoria electrónica cuando se comercialice la RRAM.
